，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。

　　若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。

　　闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。

　　但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。

　　写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。

　　读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。

　　由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。

　　相比于第一种NOR闪存。

　　第二种闪存称为NAND闪存。

　　它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。

　　NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。

　　NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。

　　NOR型与NAND型闪存的区别很大。

　　打个比方说，NOR型闪存更像是内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小。

　　而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。

　　因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

　　夏培肃皱眉道：“庞总，我印象中，闪存的市场现在并不大吧，应用范围也很窄，而且技术主要掌握在三星、日立、英特尔等大厂手里，搞这个能赚到钱吗？”

　　庞学林笑了起来，说道：“夏院士，您放心好了，闪存市场恐怕比你想像得要大很多！有些东西涉及商业机密，我暂时没办法向您透露，但我敢保证，单单一个闪存，就足以让海思半导体吃得盆满钵满。

　　夏培肃和倪光南对视一眼，对庞学林的自信有些吃惊。

　　庞学林却没有在意这两位大佬的想法，他完全不担心闪存的问题。

　　不说后世的手机内存，单单四年后将要出现的U盘，就足以支撑起海思半导体的发展。

　　在世界计算机产业的发展历程中，存储设备一直都是计算机发展的关键，最早计算机是没有存储设备的，用的是卡纸，然后换成了磁带，在往后终于有了存储设备的出现这就是

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